NTS4409NT1G厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 NTS4409NT1G 共 11 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTS4409NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 700MA SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.750514 +10：￥0.644491 +30：￥0.591479 +100：￥0.55172 +500：￥0.519913	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 350 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTS4409NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 700MA SC70-3 下载数据手册未分类	+1000：￥18.69968	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 350 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTS4409NT1G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	NTS4409NT1G VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.410951 +500：￥0.403784 +15000：￥0.393034 +45000：￥0.385867 +90000：￥0.357302	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTS4409NT1G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	NTS4409NT1G VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥0.428763 +100：￥0.421596 +1000：￥0.410951 +3000：￥0.385867 +10000：￥0.378699	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTS4409NT1G JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	NTS4409NT1G JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+3000：￥0.246528 +9000：￥0.242207 +15000：￥0.235779 +99000：￥0.225133	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTS4409NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 700MA SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.680246	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 350 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTS4409NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 700MA SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.664062	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 350 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 280mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTS4409NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 700MA SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.836434 +10：￥4.737012 +100：￥3.227684 +500：￥2.420628 +1000：￥1.815402	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： SC-70-3 (SOT323)
NTS4409NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 700MA SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.836434 +10：￥4.737012 +100：￥3.227684 +500：￥2.420628 +1000：￥1.815402	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： SC-70-3 (SOT323)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTS4409NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 700MA SC70-3 下载数据手册未分类	+1：￥6.171562 +10：￥5.077512 +100：￥3.46449 +500：￥2.608888 +1000：￥1.949653	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

NTS4409NT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	700mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.7V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	350 毫欧 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	1.5 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	60 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	280mW（Tj）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SC-70-3（SOT323）
封装/外壳:	SC-70，SOT-323
温度:	-55°C # 150°C（TJ）