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自营 现货库存
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NVD5C632NLT4G_未分类
NVD5C632NLT4G
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 29A/155A DPAK

未分类

+1:

¥10.019776

+10:

¥8.601883

+30:

¥7.814165

+100:

¥6.931921

+500:

¥6.543313

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 29A(Ta),155A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.5 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 78 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5700 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 4W(Ta),115W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: DPAK

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NVD5C632NLT4G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+2500:

¥10.211182

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 29A(Ta),155A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.5 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 78 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5700 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 4W(Ta),115W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: DPAK

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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NVD5C632NLT4G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+2500:

¥24.979256

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 29A(Ta),155A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.5 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 78 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5700 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 4W(Ta),115W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: DPAK

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Mouser
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NVD5C632NLT4G_未分类
NVD5C632NLT4G
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 29A/155A DPAK

未分类

+1:

¥53.299855

+10:

¥47.969869

+25:

¥45.44514

+100:

¥39.273577

+500:

¥29.034394

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 2500

艾睿
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NVD5C632NLT4G_未分类
NVD5C632NLT4G
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 60V 29A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

未分类

+2500:

¥21.861213

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

NVD5C632NLT4G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 29A(Ta),155A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.5 毫欧 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 78 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5700 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 4W(Ta),115W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DPAK
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -55°C # 175°C(TJ)