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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTMTS0D7N06CTXG_null
NTMTS0D7N06CTXG
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 8PQFN

+1:

¥90.547813

+200:

¥35.041526

+500:

¥33.810884

+1000:

¥33.206169

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60.5A(Ta),464A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 0.72 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 152 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 11535 pF 30 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 5W(Ta),294.6W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-DFNW(8.3x8.4)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTMTS0D7N06CTXG_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+3000:

¥39.958424

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60.5A(Ta),464A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 0.72 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 152 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 11535 pF 30 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 5W(Ta),294.6W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-DFNW(8.3x8.4)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

NTMTS0D7N06CTXG_未分类
NTMTS0D7N06CTXG
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW

未分类

+3000:

¥132.595084

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Tape & Reel (TR)

Package / Case: 8-PowerTDFN

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C # 175°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60.5A (Ta), 464A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 50A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 294.6W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA

Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11535 pF @ 30 V

NTMTS0D7N06CTXG_未分类
NTMTS0D7N06CTXG
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW

未分类

+1:

¥217.576812

+10:

¥199.93178

+100:

¥168.852093

+500:

¥150.205367

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Cut Tape (CT)

Package / Case: 8-PowerTDFN

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C # 175°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60.5A (Ta), 464A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 50A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 294.6W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA

Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11535 pF @ 30 V

NTMTS0D7N06CTXG_未分类
NTMTS0D7N06CTXG
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW

未分类

+1:

¥217.576812

+10:

¥199.93178

+100:

¥168.852093

+500:

¥150.205367

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Digi-Reel®

Package / Case: 8-PowerTDFN

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C # 175°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60.5A (Ta), 464A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 50A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 294.6W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA

Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11535 pF @ 30 V

NTMTS0D7N06CTXG_未分类
NTMTS0D7N06CTXG
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW

未分类

+30:

¥136.816861

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: 8-PowerTDFN

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C # 175°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60.5A (Ta), 464A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 50A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 294.6W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA

Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11535 pF @ 30 V

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTMTS0D7N06CTXG_晶体管
NTMTS0D7N06CTXG
授权代理品牌

MOSFET N-CH 60V 8PQFN

晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Reel

封装/外壳: DFNW-8

系列:

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 464 A

Rds On-漏源导通电阻: 720 uOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V

Qg-栅极电荷: 72 nC

Pd-功率耗散: 294.6 W

通道模式: Enhancement

商标: onsemi

配置: Single

下降时间: 42.6 ns

正向跨导 - 最小值: 250 S

产品类型: MOSFET

上升时间: 29.3 ns

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 127 ns

典型接通延迟时间: 39.7 ns

单位重量: 319.280 mg

温度: - 55 C~+ 175 C

NTMTS0D7N06CTXG参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60.5A(Ta),464A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 0.72 毫欧 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 152 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 11535 pF 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 5W(Ta),294.6W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-DFNW(8.3x8.4)
封装/外壳: 8-PowerTDFN
温度: -55°C # 175°C(TJ)