NVMFS5C406NLT1G厂家价格_数据手册

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFS5C406NLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 362A 下载数据手册未分类	+1：￥22.107442 +200：￥8.562213 +500：￥8.251444 +1000：￥8.112135	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 53A（Ta），362A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.7 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 149 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9400 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.9W（Ta），179W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFS5C406NLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 362A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥14.451224 +3000：￥13.728672	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 53A（Ta），362A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.7 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 149 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9400 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.9W（Ta），179W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NVMFS5C406NLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 362A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥35.351523 +3000：￥33.583968	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 53A（Ta），362A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.7 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 149 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9400 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.9W（Ta），179W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）
NVMFS5C406NLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 362A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥66.944511 +10：￥60.09854 +100：￥49.240031 +500：￥41.916907	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN, 5 Leads 供应商器件封装： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
NVMFS5C406NLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 362A 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥66.944511 +10：￥60.09854 +100：￥49.240031 +500：￥41.916907	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN, 5 Leads 供应商器件封装： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFS5C406NLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 362A 下载数据手册晶体管	+1：￥79.81774 +10：￥71.184394 +100：￥58.315818 +500：￥50.171151 +1000：￥41.863591	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： MouseReel,Cut Tape,Reel 封装/外壳： SO-8FL-4 系列：产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： SMD/SMT 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 40 V Id-连续漏极电流： 362 A Rds On-漏源导通电阻： 700 uOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压： 2 V Qg-栅极电荷： 149 nC Pd-功率耗散： 179 W 通道模式： Enhancement 资格： AEC-Q101 商标： onsemi 配置： Single 下降时间： 131 ns 正向跨导 - 最小值： 215 S 产品类型： MOSFET 上升时间： 47 ns 晶体管类型： 1 N-Channel 典型关闭延迟时间： 112 ns 典型接通延迟时间： 14 ns 单位重量： 750 mg 温度： - 55 C~+ 175 C

NVMFS5C406NLT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	53A（Ta），362A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	0.7 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 280µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	149 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	9400 pF 20 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.9W（Ta），179W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳:	8-PowerTDFN，5 引线
温度:	-55°C # 175°C（TJ）