NVJS4151PT1G厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVJS4151PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.44312 +10：￥2.96208 +30：￥2.4684	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 67 毫欧 2.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 850 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363 封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVJS4151PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88 下载数据手册	+1：￥6.108344 +30：￥5.671253	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 67 毫欧 2.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 850 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363 封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVJS4151PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.193858 +6000：￥1.133173 +9000：￥1.052219 +30000：￥1.027934	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 67 毫欧 2.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 850 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363 封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NVJS4151PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.920494 +6000：￥2.772041 +9000：￥2.574007 +30000：￥2.514597	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 67 毫欧 2.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 850 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363 封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NVJS4151PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.690672 +10：￥7.408441 +100：￥5.147441 +500：￥4.019366 +1000：￥3.266981	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363
NVJS4151PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.690672 +10：￥7.408441 +100：￥5.147441 +500：￥4.019366 +1000：￥3.266981	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： SC-88/SC70-6/SOT-363

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVJS4151PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88 下载数据手册未分类	+1：￥9.257343 +10：￥7.966926 +100：￥5.947141 +500：￥4.67075 +1000：￥3.61878	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

NVJS4151PT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	67 毫欧 2.9A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	850 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.2W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SC-88/SC70-6/SOT-363
封装/外壳:	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
温度:	-55°C # 150°C（TJ）