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NVTFS5C453NLWFTAG
授权代理品牌

MOSFET N-CH 40V 107A 8WDFN

+1:

¥10.654088

+10:

¥9.211689

+30:

¥8.315652

+100:

¥7.386835

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¥6.436162

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 107A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.1 毫欧 40A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 35 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2100 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 68W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-WDFN(3.3x3.3)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
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NVTFS5C453NLWFTAG_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥5.699158

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¥5.414196

+7500:

¥5.210652

+10500:

¥5.038162

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 107A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.1 毫欧 40A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 35 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2100 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 68W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-WDFN(3.3x3.3)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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NVTFS5C453NLWFTAG_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥9.355714

+7500:

¥9.00399

+10500:

¥8.705928

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 107A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.1 毫欧 40A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 35 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2100 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 68W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-WDFN(3.3x3.3)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

NVTFS5C453NLWFTAG_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥20.792134

+10:

¥17.231324

+100:

¥13.716583

+500:

¥11.606742

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: 8-WDFN (3.3x3.3)

NVTFS5C453NLWFTAG_晶体管-FET,MOSFET-单个
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+10:

¥17.231324

+100:

¥13.716583

+500:

¥11.606742

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: 8-WDFN (3.3x3.3)

Mouser
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NVTFS5C453NLWFTAG_未分类
NVTFS5C453NLWFTAG
授权代理品牌

MOSFET N-CH 40V 107A 8WDFN

未分类

+1:

¥26.2772

+10:

¥21.844902

+100:

¥17.412603

+250:

¥15.987936

+500:

¥14.594927

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 1500

NVTFS5C453NLWFTAG参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 107A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.1 毫欧 40A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 35 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2100 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 68W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-WDFN(3.3x3.3)
封装/外壳: 8-PowerWDFN
温度: -55°C # 175°C(TJ)