NTMFSC0D9N04CL厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFSC0D9N04CL ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.664901 +10：￥7.341534 +30：￥6.616833 +100：￥5.797606 +500：￥5.440507	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 313A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 143 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8500 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TA）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TA）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFSC0D9N04CL ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.26132	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 313A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 143 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8500 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TA）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TA）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTMFSC0D9N04CL ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 8PQFN 下载数据手册未分类	+3000：￥21.841835	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 313A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 143 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8500 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TA）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TA）
NTMFSC0D9N04CL ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 8PQFN 下载数据手册未分类	+10：￥39.243912 +100：￥32.148835 +500：￥27.373797 +1000：￥23.089669	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTMFSC0D9N04CL ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 8PQFN 下载数据手册未分类	+10：￥48.109909 +100：￥39.49015 +500：￥33.576654 +1000：￥28.36478 +3000：￥26.861324	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTMFSC0D9N04CL ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 8PQFN 下载数据手册未分类	+10：￥47.989696 +100：￥39.39161 +500：￥33.492862 +1000：￥28.293947 +3000：￥26.794291	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFSC0D9N04CL ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥17.426331	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 313A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 143 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8500 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TA）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TA）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTMFSC0D9N04CL ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥30.112642	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 313A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 143 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8500 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 83W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TA）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TA）
NTMFSC0D9N04CL ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥60.045504 +10：￥53.886382 +100：￥44.150687 +500：￥37.584205 +1000：￥31.697606	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TA) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)
NTMFSC0D9N04CL ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥60.045504 +10：￥53.886382 +100：￥44.150687 +500：￥37.584205 +1000：￥31.697606	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TA) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

NTMFSC0D9N04CL参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	313A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	143 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	8500 pF 20 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	83W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TA）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TA）