NVMFSC1D6N06CL厂家价格_数据手册

搜索 NVMFSC1D6N06CL 共 13 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFSC1D6N06CL ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 35A/224A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥64.679824 +10：￥43.119923 +30：￥35.933249	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Ta），224A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 91 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 4.1W（Ta），166W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5x6.15）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFSC1D6N06CL ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 35A/224A 8DFN 下载数据手册未分类	+1：￥45.118698 +10：￥38.879227 +30：￥35.076537 +100：￥31.885774	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Ta），224A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 91 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 4.1W（Ta），166W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5x6.15）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFSC1D6N06CL ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 35A/224A 8DFN 下载数据手册未分类	+3000：￥294.292031	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Ta），224A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 91 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 4.1W（Ta），166W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5x6.15）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFSC1D6N06CL ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 35A/224A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥19.627127	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Ta），224A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 91 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 4.1W（Ta），166W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5x6.15）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NVMFSC1D6N06CL ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 35A/224A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥50.298089	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Ta），224A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 91 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6660 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 4.1W（Ta），166W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN（5x6.15）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NVMFSC1D6N06CL ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 35A/224A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥98.676199 +10：￥71.475225 +100：￥53.991944 +500：￥50.298242	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-DFN (5.1x6.15)
NVMFSC1D6N06CL ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 35A/224A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥98.676199 +10：￥71.475225 +100：￥53.991944 +500：￥50.298242	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-DFN (5.1x6.15)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFSC1D6N06CL ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 35A/224A 8DFN 下载数据手册未分类	+1：￥104.803886 +10：￥75.949652 +25：￥69.482322 +100：￥57.376811 +250：￥57.210982	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： MouseReel,Cut Tape,Reel 封装/外壳： DFN-8 系列：产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： SMD/SMT 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 60 V Id-连续漏极电流： 224 A Rds On-漏源导通电阻： 1.5 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压： 2 V Qg-栅极电荷： 41 nC Pd-功率耗散： 166 W 通道模式： Enhancement 资格： AEC-Q101 商标： onsemi 配置： Single 下降时间： 14.1 ns 产品类型： MOSFET 上升时间： 55.6 ns 晶体管类型： 1 N-Channel 典型关闭延迟时间： 47.5 ns 典型接通延迟时间： 14.5 ns 单位重量： 161.193 mg 温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFSC1D6N06CL ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 35A Automotive AEC-Q101 8-Pin DFN EP Reel 下载数据手册未分类	+3000：￥67.157941 +6000：￥66.47692 +9000：￥65.811377 +12000：￥65.161311 +15000：￥64.511246	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFSC1D6N06CL onsemi(安森美) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 60V, 224A, PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥59.38607 +10：￥42.93933 +100：￥35.281117	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NVMFSC1D6N06CL参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	35A（Ta），224A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	91 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6660 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	4.1W（Ta），166W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-DFN（5x6.15）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）