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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTR4502PT1G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	Vds=30V Id=5.4A SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥0.565373 +10：￥0.528468 +50：￥0.47311 +150：￥0.436205 +300：￥0.410372	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： P沟道漏源电压(Vdss)： 30V 连续漏极电流(Id)： 5.6A 功率(Pd)： 2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 46mΩ@10V,4.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)： 11.4nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)： 1.295nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)： 130pF@15V 工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTR4502PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOS场效应管 NTR4502PT1G TR2M SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.870704 +100：￥1.523808 +200：￥1.222128 +500：￥1.091232 +800：￥1.012896	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1.95A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	NTR4502PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.636823 +100：￥0.589391	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1.95A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTR4502PT1G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	NTR4502PT1G VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.694575 +100：￥0.595367 +300：￥0.520931 +1000：￥0.438624 +5000：￥0.416745	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTR4502PT1G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	NTR4502PT1G VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+22：￥0.167856	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTR4502PT1G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	NTR4502PT1G VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥0.338953 +30：￥0.330618 +50：￥0.322283 +100：￥0.31117 +3000：￥0.307465	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTR4502PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.157625 +10：￥0.810338	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1.95A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTR4502PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.757665 +100：￥0.744932 +500：￥0.738565 +1000：￥0.725831	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1.95A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTR4502PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥0.983518 +150：￥0.93455 +250：￥0.910588 +350：￥0.886856	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1.95A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTR4502PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.697909 +6000：￥0.659164 +15000：￥0.600939 +30000：￥0.562195 +75000：￥0.504041	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1.95A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

NTR4502PT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.13A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	200 毫欧 1.95A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	200 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	400mW（Tj）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTR4502PT1G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	NTR4502PT1G VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.694575 +100：￥0.595367 +300：￥0.520931 +1000：￥0.438624 +5000：￥0.416745	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTR4502PT1G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	NTR4502PT1G VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+22：￥0.167856	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTR4502PT1G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	NTR4502PT1G VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥0.338953 +30：￥0.330618 +50：￥0.322283 +100：￥0.31117 +3000：￥0.307465	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTR4502PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.157625 +10：￥0.810338	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1.95A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTR4502PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.757665 +100：￥0.744932 +500：￥0.738565 +1000：￥0.725831	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1.95A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTR4502PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥0.983518 +150：￥0.93455 +250：￥0.910588 +350：￥0.886856	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.13A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1.95A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）