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NTD4970N-35G参数规格
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | onsemi |
包装: | Bulk,Bulk |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | Obsolete |
FET 类型: | N-Channel |
技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8.5A (Ta), 36A (Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V, 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 11mOhm 30A, 10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 8.2 nC 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 774 pF 15 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1.38W (Ta), 24.6W (Tc) |
工作温度: | -55°C # 175°C (TJ) |
安装类型: | Through Hole |
供应商器件封装: | I-Pak |
封装/外壳: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
温度: | -55°C # 175°C (TJ) |