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NTD4970N-35G_null
NTD4970N-35G
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 38A IPAK

+1:

¥2.049191

+200:

¥0.793101

+500:

¥0.765236

+1000:

¥0.751468

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: Bulk,Bulk

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.5A (Ta), 36A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11mOhm 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.2 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 774 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.38W (Ta), 24.6W (Tc)

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

供应商器件封装: I-Pak

封装/外壳: TO-251-3 Stub Leads, IPak

温度: -55°C # 175°C (TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTD4970N-35G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Bulk,Bulk

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Obsolete

FET 类型: N-Channel

技术: MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.5A (Ta), 36A (Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11mOhm 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.2 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 774 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.38W (Ta), 24.6W (Tc)

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

供应商器件封装: I-Pak

封装/外壳: TO-251-3 Stub Leads, IPak

温度: -55°C # 175°C (TJ)

NTD4970N-35G_未分类
NTD4970N-35G
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 8.5A/36A IPAK

未分类

+820:

¥4.613035

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPAK

Mounting Type: Through Hole

Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 36A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), 24.6W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA

Supplier Device Package: IPAK

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 774 pF @ 15 V

NTD4970N-35G_未分类
NTD4970N-35G
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 8.5A/36A IPAK

未分类

+2000:

¥3.615622

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Tube

Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPAK

Mounting Type: Through Hole

Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 36A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), 24.6W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA

Supplier Device Package: IPAK

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 774 pF @ 15 V

Mouser
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NTD4970N-35G_晶体管
NTD4970N-35G
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 38A IPAK

晶体管

+1:

¥14.424965

+10:

¥12.760547

+75:

¥8.686685

+525:

¥7.260037

+1050:

¥6.182129

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Tube

封装/外壳: TO-247-3

系列: NTD4970N

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 11.6 A

Rds On-漏源导通电阻: 21 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V

Qg-栅极电荷: 8.2 nC

Pd-功率耗散: 2.55 W

通道模式: Enhancement

商标: onsemi

配置: Single

下降时间: 5.7 ns

正向跨导 - 最小值: 34 S

产品类型: MOSFET

上升时间: 27.6 ns

晶体管类型: 1 N-Channel

单位重量: 6 g

温度: - 55 C~+ 175 C

NTD4970N-35G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Bulk,Bulk
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Obsolete
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.5A (Ta), 36A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11mOhm 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.2 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 774 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.38W (Ta), 24.6W (Tc)
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
安装类型: Through Hole
供应商器件封装: I-Pak
封装/外壳: TO-251-3 Stub Leads, IPak
温度: -55°C # 175°C (TJ)