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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTR4503NT1G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=6A 下载数据手册未分类	+1：￥0.55176 +10：￥0.517275 +50：￥0.465548 +150：￥0.431063 +300：￥0.406923	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： N沟道漏源电压(Vdss)： 30V 连续漏极电流(Id)： 6.5A 功率(Pd)： 1.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 30mΩ@10V,3.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.1V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)： 2.1nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)： 335pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)： 170pF@15V 工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)

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	NTR4503NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOS场效应管 NTR4503NT1G TR3M SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.021472 +100：￥1.646496 +200：￥1.320768 +500：￥1.179072 +800：￥1.0944	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 24 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 420mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	NTR4503NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.525828	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 24 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 420mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTR4503NT1G JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	NTR4503NT1G UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+10：￥1.256357 +100：￥0.342336 +1000：￥0.21628	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTR4503NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 24 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 420mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTR4503NT1G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	NTR4503NT1G VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥0.385761 +100：￥0.379331 +1000：￥0.36974 +3000：￥0.347185 +10000：￥0.340755	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTR4503NT1G UMW(友台半导体) 授权代理品牌	NTR4503NT1G UMW/友台半导体下载数据手册未分类	+3000：￥0.246633 +9000：￥0.240309 +15000：￥0.231878	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTR4503NT1G JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	NTR4503NT1G JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+3000：￥0.242418 +9000：￥0.238202 +15000：￥0.231878 +102000：￥0.221338	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTR4503NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3 下载数据手册未分类	+3000：￥0.953555 +9000：￥0.845409	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 24 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 420mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	NTR4503NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.829307	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 24 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 420mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

NTR4503NT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	110 毫欧 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	7 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	250 pF 24 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	420mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTR4503NT1G JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	NTR4503NT1G UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+10：￥1.256357 +100：￥0.342336 +1000：￥0.21628	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTR4503NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 24 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 420mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTR4503NT1G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	NTR4503NT1G VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥0.385761 +100：￥0.379331 +1000：￥0.36974 +3000：￥0.347185 +10000：￥0.340755	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTR4503NT1G UMW(友台半导体) 授权代理品牌	NTR4503NT1G UMW/友台半导体下载数据手册未分类	+3000：￥0.246633 +9000：￥0.240309 +15000：￥0.231878	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTR4503NT1G JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	NTR4503NT1G JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+3000：￥0.242418 +9000：￥0.238202 +15000：￥0.231878 +102000：￥0.221338	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTR4503NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3 下载数据手册未分类	+3000：￥0.953555 +9000：￥0.845409	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 24 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 420mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）