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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTD4863NT4G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1110:

¥1.563704

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 25 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.2A(Ta),49A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9.3 毫欧 30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13.5 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 990 pF 12 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.27W(Ta),36.6W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: DPAK

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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NTD4863NT4G_晶体管-FET,MOSFET-单个
+1110:

¥3.825236

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: DPAK

NTD4863NT4G_晶体管-FET,MOSFET-单个
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货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 25 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.2A(Ta),49A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9.3 毫欧 30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13.5 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 990 pF 12 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.27W(Ta),36.6W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: DPAK

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

NTD4863NT4G_晶体管-FET,MOSFET-单个
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货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: DPAK

NTD4863NT4G_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥5.696739

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货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: DPAK

艾睿
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NTD4863NT4G_未分类
NTD4863NT4G
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 25V 11.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

未分类

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¥0.711042

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¥0.542561

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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NTD4863NT4G_未分类
NTD4863NT4G
授权代理品牌
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¥0.507977

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

NTD4863NT4G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.2A(Ta),49A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9.3 毫欧 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 13.5 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 990 pF 12 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.27W(Ta),36.6W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DPAK
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -55°C # 175°C(TJ)