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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NVTFS004N04CTAG_未分类
NVTFS004N04CTAG
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 40V 77A

未分类
+1：

￥5.345981

+200：

￥2.069073

+500：

￥2.006056

+1000：

￥1.964044

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），77A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.9 毫欧 35A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），55W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-WDFN（3.3x3.3）

封装/外壳： 8-PowerWDFN

温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NVTFS004N04CTAG_晶体管-FET，MOSFET-单个
NVTFS004N04CTAG
ON(安森美)
授权代理品牌
+1500：

￥4.078489

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），77A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.9 毫欧 35A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），55W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-WDFN（3.3x3.3）

封装/外壳： 8-PowerWDFN

温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NVTFS004N04CTAG_晶体管-FET，MOSFET-单个
NVTFS004N04CTAG
ON(安森美)
授权代理品牌
+1500：

￥9.977065

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），77A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.9 毫欧 35A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1150 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），55W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-WDFN（3.3x3.3）

封装/外壳： 8-PowerWDFN

温度： -55°C # 175°C（TJ）

NVTFS004N04CTAG_未分类
NVTFS004N04CTAG
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN

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未分类
+1500：

￥9.558451

+3000：

￥8.921193

+7500：

￥8.475182

+10500：

￥8.156485

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： 8-PowerWDFN

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 18A (Ta), 77A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 4.9mOhm @ 35A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 3.2W (Ta), 55W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 50µA

Supplier Device Package： 8-WDFN (3.3x3.3)

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 18 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1150 pF @ 25 V

NVTFS004N04CTAG_未分类
NVTFS004N04CTAG
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN

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未分类
+1：

￥21.038307

+10：

￥18.798746

+100：

￥14.656235

+500：

￥12.107478

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： 8-PowerWDFN

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 18A (Ta), 77A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 4.9mOhm @ 35A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 3.2W (Ta), 55W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 50µA

Supplier Device Package： 8-WDFN (3.3x3.3)

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 18 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1150 pF @ 25 V

NVTFS004N04CTAG_未分类
NVTFS004N04CTAG
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN

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未分类
+1：

￥21.038307

+10：

￥18.798746

+100：

￥14.656235

+500：

￥12.107478

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： 8-PowerWDFN

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 18A (Ta), 77A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 4.9mOhm @ 35A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 3.2W (Ta), 55W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 50µA

Supplier Device Package： 8-WDFN (3.3x3.3)

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 18 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1150 pF @ 25 V

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NVTFS004N04CTAG_未分类
NVTFS004N04CTAG
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 40V 77A

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未分类
+1：

￥21.600467

+10：

￥19.496525

+100：

￥15.148379

+500：

￥12.511439

+1000：

￥9.888525

库存： 0

货期：7~10 天

封裝： Reel

封裝： Cut Tape

封裝： MouseReel

標準包裝數量： 1500

艾睿
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NVTFS004N04CTAG_未分类
NVTFS004N04CTAG
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 40V 18A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R

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未分类
+1500：

￥10.793661

+3000：

￥10.685611

+6000：

￥10.578818

+9000：

￥10.47328

+12000：

￥10.368999

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

NVTFS004N04CTAG参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 卷带（TR）
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A（Ta），77A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.9 毫欧 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 18 nC 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1150 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3.2W（Ta），55W（Tc）
工作温度: -55°C # 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳: 8-PowerWDFN
温度: -55°C # 175°C（TJ）