| NTR5198NLT1G | | | | 品牌: onsemi 包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.7A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 155 毫欧 1A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.8 nC 4.5 V Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 182 pF 25 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 900mW(Ta) 工作温度: -55°C # 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 温度: -55°C # 150°C(TJ) |
| NTR5198NLT1G | | | | 品牌: onsemi 包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.7A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 155 毫欧 1A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.8 nC 4.5 V Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 182 pF 25 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 900mW(Ta) 工作温度: -55°C # 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 温度: -55°C # 150°C(TJ) |
| NTR5198NLT1G | | | | 品牌: onsemi 包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.7A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 155 毫欧 1A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.8 nC 4.5 V Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 182 pF 25 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 900mW(Ta) 工作温度: -55°C # 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 温度: -55°C # 150°C(TJ) |
| NTR5198NLT1G | | | | 品牌: onsemi 包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.7A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 155 毫欧 1A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.8 nC 4.5 V Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 182 pF 25 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 900mW(Ta) 工作温度: -55°C # 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 温度: -55°C # 150°C(TJ) |
| NTR5198NLT1G | NTR5198NLT1G TECH PUBLIC/台湾台舟电子 未分类 | | | 暂无参数 |
| NTR5198NLT1G | | | | 品牌: onsemi 包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.7A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 155 毫欧 1A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.8 nC 4.5 V Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 182 pF 25 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 900mW(Ta) 工作温度: -55°C # 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 温度: -55°C # 150°C(TJ) |
| NTR5198NLT1G | | | | 品牌: onsemi 包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.7A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 155 毫欧 1A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.8 nC 4.5 V Vgs(最大值): ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 182 pF 25 V FET 功能: - 功率耗散(最大值): 900mW(Ta) 工作温度: -55°C # 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 温度: -55°C # 150°C(TJ) |