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自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTB75N06LT4 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.391693 +25：￥0.350024 +50：￥0.316688 +100：￥0.291687 +250：￥0.266685	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 37.5A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 92 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4370 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta），214W（Tj）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTB75N06LT4 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.676846 +25：￥0.604841 +50：￥0.547236 +100：￥0.504034 +250：￥0.460831	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 37.5A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 92 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4370 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta），214W（Tj）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTB75N06LT4 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 37.5A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 92 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4370 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta），214W（Tj）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

NTB75N06LT4参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	75A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	11 毫欧 37.5A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	92 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4370 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.4W（Ta），214W（Tj）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D²PAK
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）