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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NDS9435A VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	P沟道 30V 4.1A 下载数据手册未分类	+1：￥1.674312 +10：￥1.359543 +30：￥1.224597 +100：￥1.08965 +500：￥0.999686	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： P沟道漏源电压(Vdss)： 30V 连续漏极电流(Id)： 4.1A 功率(Pd)： 1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 33mΩ@10V,5.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)： 16nC@10V 工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NDS9435A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 5.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 528 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 175°C（TJ）
	NDS9435A ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+825：￥2.574176	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 5.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 528 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NDS9435A Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+825：￥4.448167	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Fairchild Semiconductor 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： Obsolete FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A (Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50mOhm 5.3A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 528 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W (Ta) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 温度： -55°C # 175°C (TJ)
NDS9435A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 5.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 528 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SOIC 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 175°C（TJ）
NDS9435A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
NDS9435A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.110608 +10：￥2.289752 +30：￥2.145743 +100：￥1.987332 +500：￥1.929728	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC

NDS9435A参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	停产
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	50 毫欧 5.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	14 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	528 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SOIC
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 175°C（TJ）