NTF3055-100T1G厂家价格_数据手册

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	NTF3055-100T1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.293612 +10：￥11.8096 +100：￥10.3576 +500：￥10.0672	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 455 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223（TO-261）封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	NTF3055-100T1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 455 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223（TO-261）封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	NTF3055-100T1G TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	NTF3055-100T1G 下载数据手册未分类	+5：￥1.399565 +50：￥1.124198 +150：￥1.006183 +500：￥0.858883 +2500：￥0.793319	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	NTF3055-100T1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.979988	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 455 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223（TO-261）封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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NTF3055-100T1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 下载数据手册未分类	+1：￥13.652228 +10：￥11.701925 +30：￥10.239198 +100：￥8.622481 +500：￥8.1914	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 455 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223（TO-261）封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）
NTF3055-100T1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 下载数据手册未分类	+1000：￥4.752126	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 455 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223（TO-261）封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）
NTF3055-100T1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 下载数据手册未分类	+250：￥7.704639 +500：￥7.476722	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	NTF3055-100T1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥2.928793 +2000：￥2.733581 +5000：￥2.596858 +10000：￥2.499287 +25000：￥2.449882	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 455 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223（TO-261）封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTF3055-100T1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥4.885226 +2000：￥4.598878 +5000：￥4.379819 +10000：￥4.177705 +25000：￥4.169606	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 455 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223（TO-261）封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	NTF3055-100T1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.09004 +10：￥9.096325 +100：￥7.075198 +500：￥5.997096	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223 (TO-261)

NTF3055-100T1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	110 毫欧 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	22 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	455 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.3W（Ta）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-223（TO-261）
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTF3055-100T1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 下载数据手册未分类	+1：￥13.652228 +10：￥11.701925 +30：￥10.239198 +100：￥8.622481 +500：￥8.1914	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 455 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223（TO-261）封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）
NTF3055-100T1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 下载数据手册未分类	+1000：￥4.752126	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 110 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 455 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223（TO-261）封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 175°C（TJ）
NTF3055-100T1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 下载数据手册未分类	+250：￥7.704639 +500：￥7.476722	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数