品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 25 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.4A（Ta），65A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 30A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.5 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1308 pF 12 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.28W（Ta），50W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： DPAK

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 175°C（TJ）

类型： -

漏源电压(Vdss)： -

连续漏极电流(Id)： -

功率(Pd)： -

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： -

阈值电压(Vgs(th)@Id)： -

栅极电荷(Qg@Vgs)： -

输入电容(Ciss@Vds)： -

反向传输电容(Crss@Vds)： -

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 25 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.4A（Ta），65A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 30A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.5 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1308 pF 12 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.28W（Ta），50W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： DPAK

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 25 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.4A（Ta），65A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 30A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.5 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1308 pF 12 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.28W（Ta），50W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： DPAK

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 175°C（TJ）