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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTF6P02T3G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	P沟道 35V 6.2A 下载数据手册未分类	+1：￥2.8883 +10：￥2.363155 +30：￥2.142594 +100：￥1.859015 +500：￥1.73298	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： P沟道漏源电压(Vdss)： 35V 连续漏极电流(Id)： 6.2A 功率(Pd)： 4.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 40mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)： 1.8V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)： 9.8nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)： 970pF@20V 反向传输电容(Crss@Vds)： 95pF@20V 工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTF6P02T3G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 10A SOT223 下载数据手册未分类	+500：￥8.003579	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1200 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 8.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223（TO-261）封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTF6P02T3G JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	NTF6P02T3G JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+2500：￥0.863218 +7500：￥0.840769 +12500：￥0.818213 +30000：￥0.788174	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTF6P02T3G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 10A SOT223 下载数据手册未分类	+1000：￥11.484672 +2000：￥11.140789	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTF6P02T3G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	NTF6P02T3G VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+200：￥1.601433 +500：￥1.538825 +1000：￥1.513846 +3000：￥1.488761 +10000：￥1.42626	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTF6P02T3G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	下载数据手册	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	封装/外壳： SOT223 FET类型： P-Channel 栅极电压Vgs： ±20V 漏源极电压Vds： -35V 连续漏极电流Id： -6.2A Rds OnMax@Id,Vgs： 50mΩ@-10V Pd-功率耗散Max： 4.2W

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTF6P02T3G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 10A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥4.275849	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1200 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 8.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223（TO-261）封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTF6P02T3G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 10A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥7.388653	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1200 pF 16 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 8.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223（TO-261）封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTF6P02T3G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 10A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.321467 +10：￥13.702828 +100：￥10.68178 +500：￥8.824174 +1000：￥7.388653	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223
NTF6P02T3G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 10A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.440963 +10：￥1.815385 +30：￥1.700609 +100：￥1.58569 +500：￥1.534566	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223

NTF6P02T3G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	50 毫欧 6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	20 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1200 pF 16 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	8.3W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-223（TO-261）
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）