品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A(Ta)，35A(Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 20µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.9 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 420 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），28W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： LFPAK4（5x6）

封装/外壳： SOT-1023，4-LFPAK

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A(Ta)，35A(Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 20µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.9 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 420 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），28W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： LFPAK4（5x6）

封装/外壳： SOT-1023，4-LFPAK

温度： -55°C # 175°C（TJ）

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： SOT-1023, 4-LFPAK

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 13A (Ta), 35A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 12mOhm @ 10A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 3.8W (Ta), 28W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 20µA

Supplier Device Package： LFPAK4 (5x6)

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 7.9 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 420 pF @ 25 V