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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX7002BKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.6534 +100：￥0.441892 +800：￥0.147741 +3000：￥0.083248 +6000：￥0.079013	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 270mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta），1.67W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX7002BKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB 下载数据手册未分类	+5：￥0.657272 +50：￥0.53964 +150：￥0.480824 +500：￥0.436711	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 270mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta），1.67W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	NX7002BKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.299112	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 270mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta），1.67W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX7002BKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB 下载数据手册	+1：￥0.494928 +100：￥0.329904 +1000：￥0.253728 +1500：￥0.224496 +3000：￥0.19872	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 270mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta），1.67W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX7002BKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.215393 +6000：￥0.194309 +15000：￥0.168952 +30000：￥0.152085 +75000：￥0.135162	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 270mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta），1.67W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NX7002BKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.526909 +6000：￥0.47533 +15000：￥0.413301 +30000：￥0.37204 +75000：￥0.330642	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 270mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta），1.67W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NX7002BKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.986082 +10：￥2.71462 +100：￥1.478111 +500：￥0.909398 +1000：￥0.62002	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： TO-236AB
NX7002BKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.986082 +10：￥2.71462 +100：￥1.478111 +500：￥0.909398 +1000：￥0.62002	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： TO-236AB

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX7002BKR Nexperia(安世) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB 下载数据手册未分类	+1：￥3.441595 +10：￥3.130214 +100：￥1.70441 +500：￥1.048868 +1000：￥0.721098	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 270mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.8 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 23.6 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310mW（Ta），1.67W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-236AB 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NX7002BKR 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥2.305479 +10：￥2.189891 +25：￥2.143405 +50：￥2.124558 +100：￥1.237546	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NX7002BKR参数规格

属性	参数值
品牌:	Nexperia USA Inc.
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	270mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.8 欧姆 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	1 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	23.6 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	310mW（Ta），1.67W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-236AB
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）