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NTMFS4935NBT3G_未分类
NTMFS4935NBT3G
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 13A SO8FL

未分类

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¥2.786454

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¥2.742745

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A(Ta),93A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.2 毫欧 30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 49.4 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4850 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 930mW(Ta),48W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 5-DFN(5x6)(8-SOFL)

封装/外壳: 8-PowerTDFN,5 引线

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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NTMFS4935NBT3G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A(Ta),93A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.2 毫欧 30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 49.4 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4850 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 930mW(Ta),48W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 5-DFN(5x6)(8-SOFL)

封装/外壳: 8-PowerTDFN,5 引线

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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NTMFS4935NBT3G
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货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A(Ta),93A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.2 毫欧 30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 49.4 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4850 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 930mW(Ta),48W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 5-DFN(5x6)(8-SOFL)

封装/外壳: 8-PowerTDFN,5 引线

温度: -55°C # 150°C(TJ)

NTMFS4935NBT3G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A(Ta),93A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.2 毫欧 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 49.4 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4850 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 930mW(Ta),48W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封装/外壳: 8-PowerTDFN,5 引线
温度: -55°C # 150°C(TJ)