NTTFS5116PLTAG厂家价格_数据手册

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTTFS5116PLTAG ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.469793 +10：￥5.514028 +30：￥4.988882 +100：￥4.400719 +500：￥4.138147	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1258 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），40W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-WDFN（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTTFS5116PLTAG ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1258 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），40W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-WDFN（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTTFS5116PLTAG ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥3.081678 +3000：￥2.876224 +7500：￥2.732432 +10500：￥2.629706	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1258 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），40W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-WDFN（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTTFS5116PLTAG ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥5.32513 +3000：￥4.970105 +7500：￥4.721634 +10500：￥4.544122	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 52 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1258 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.2W（Ta），40W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-WDFN（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
NTTFS5116PLTAG ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.672338 +10：￥10.470434 +100：￥8.164859 +500：￥6.745225	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-WDFN (3.3x3.3)
NTTFS5116PLTAG ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.672338 +10：￥10.470434 +100：￥8.164859 +500：￥6.745225	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-WDFN (3.3x3.3)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTTFS5116PLTAG ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN 下载数据手册未分类	+1：￥13.648064 +10：￥12.018247 +100：￥9.368137 +500：￥8.21534 +1000：￥6.135004	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 1500

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTTFS5116PLTAG 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin WDFN EP T/R 下载数据手册未分类	+1500：￥4.438071	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NTTFS5116PLTAG参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	52 毫欧 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	25 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1258 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.2W（Ta），40W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳:	8-PowerWDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）