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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTLJS2103PTBG_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥2.48049

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¥2.021545

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¥1.824854

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¥1.573527

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¥1.464254

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: µCool™

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 12 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.2V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 40 毫欧 3A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 800mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1157 pF 6 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 700mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 6-WDFN(2x2)

封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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NTLJS2103PTBG_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥1.446938

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¥1.347176

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¥1.297295

+30000:

¥1.247359

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: µCool™

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 12 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.2V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 40 毫欧 3A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 800mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1157 pF 6 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 700mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 6-WDFN(2x2)

封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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NTLJS2103PTBG_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+3000:

¥3.539594

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¥3.29555

+15000:

¥3.173529

+30000:

¥3.05137

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: µCool™

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 12 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.2V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 40 毫欧 3A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 800mV 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1157 pF 6 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 700mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 6-WDFN(2x2)

封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘

温度: -55°C # 150°C(TJ)

NTLJS2103PTBG_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥9.093978

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¥8.062422

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¥6.175761

+500:

¥4.882244

+1000:

¥3.905797

库存: 0

货期:7~10 天

系列: µCool™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad

供应商器件封装: 6-WDFN (2x2)

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¥8.062422

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¥4.882244

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库存: 0

货期:7~10 天

系列: µCool™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-WDFN Exposed Pad

供应商器件封装: 6-WDFN (2x2)

Mouser
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NTLJS2103PTBG_未分类
NTLJS2103PTBG
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MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN

未分类

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¥10.281429

+10:

¥8.905045

+100:

¥6.168858

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¥5.157298

+1000:

¥4.377899

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 3000

艾睿
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NTLJS2103PTBG_未分类
NTLJS2103PTBG
授权代理品牌

Trans MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-Pin WDFN T/R

未分类

+1:

¥5.151477

+10:

¥4.940163

+100:

¥4.467564

+500:

¥4.024948

+1000:

¥3.593756

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
NTLJS2103PTBG_未分类
NTLJS2103PTBG
授权代理品牌

Trans MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-Pin WDFN T/R

未分类

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¥3.605178

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¥3.516655

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货期:7~10 天

暂无参数

NTLJS2103PTBG参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: µCool™
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.2V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 40 毫欧 3A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 800mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1157 pF 6 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 700mW(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 6-WDFN(2x2)
封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘
温度: -55°C # 150°C(TJ)