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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NDT3055_晶体管-FET，MOSFET-单个
NDT3055
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥2.729181

+10：

￥2.294466

+30：

￥2.108144

+100：

￥1.875714

+500：

￥1.772156

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 30 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3W（Ta）

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223-4

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -65°C # 150°C（TJ）

NDT3055_未分类
NDT3055
VBsemi(台湾微碧)
授权代理品牌
+1：

￥1.912272

+10：

￥1.6828

+30：

￥1.573527

+100：

￥1.453327

+500：

￥1.398691

库存： 1000 +

国内：1~2 天

类型： N沟道

漏源电压(Vdss)： 60V

连续漏极电流(Id)： 4.5A

功率(Pd)： 4W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 76mΩ@10V,4A

阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs)： 10nC@4.5V

输入电容(Ciss@Vds)： 810pF@30V

反向传输电容(Crss@Vds)： 100pF@30V

工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)

NDT3055_未分类
NDT3055
JSMSEMI(杰盛微)
授权代理品牌
+5：

￥1.92309

+50：

￥1.51004

+150：

￥1.333018

+1000：

￥1.112178

+2000：

￥1.013832

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
NDT3055_晶体管-FET，MOSFET-单个
NDT3055
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥10.621306

+10：

￥9.091489

+30：

￥8.129889

+100：

￥7.157362

+500：

￥6.709344

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 30 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3W（Ta）

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223-4

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -65°C # 150°C（TJ）

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NDT3055_晶体管-FET，MOSFET-单个
NDT3055
ON(安森美)
授权代理品牌
+4000：

￥2.264273

+8000：

￥2.156456

+12000：

￥2.056933

+28000：

￥2.052962

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 30 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3W（Ta）

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223-4

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -65°C # 150°C（TJ）

NDT3055_晶体管-FET，MOSFET-单个
NDT3055
ON Semiconductor
授权代理品牌

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

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晶体管-FET，MOSFET-单个
+4000：

￥2.264273

+8000：

￥2.156456

+12000：

￥2.056933

+28000：

￥2.052962

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 30 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3W（Ta）

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223-4

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -65°C # 150°C（TJ）

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
NDT3055_晶体管-FET，MOSFET-单个
NDT3055
ON(安森美)
授权代理品牌
+4000：

￥5.539013

+8000：

￥5.275263

+12000：

￥5.031803

+28000：

￥5.022088

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 30 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 3W（Ta）

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223-4

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -65°C # 150°C（TJ）

NDT3055_晶体管-FET，MOSFET-单个
NDT3055
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥13.430333

+10：

￥10.95858

+100：

￥8.521119

+500：

￥7.222948

+1000：

￥5.883915

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -65°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223-4

NDT3055_晶体管-FET，MOSFET-单个
NDT3055
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥13.430333

+10：

￥10.95858

+100：

￥8.521119

+500：

￥7.222948

+1000：

￥5.883915

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -65°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223-4

NDT3055_未分类
NDT3055
ON Semiconductor
授权代理品牌

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

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未分类
1+:

需询价

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Fairchild Semiconductor

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100mOhm 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 30 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.1W (Ta)

工作温度： -65°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： SOT-223-4

封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA

温度： -65°C # 150°C (TJ)

NDT3055参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 100 毫欧 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 15 nC 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 250 pF 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3W（Ta）
工作温度: -65°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-223-4
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
温度: -65°C # 150°C（TJ）