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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTHS5404T1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.217723 +10：￥5.240952 +30：￥4.757818 +100：￥4.274684	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 5.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 600mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： ChipFET™ 封装/外壳： 8-SMD，扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTHS5404T1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET 下载数据手册未分类	+2734：￥3.54173	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 5.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 600mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： ChipFET™ 封装/外壳： 8-SMD，扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTHS5404T1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.631614 +6000：￥3.450069 +15000：￥3.320363	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 5.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 600mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： ChipFET™ 封装/外壳： 8-SMD，扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTHS5404T1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥6.275417 +6000：￥5.961707 +15000：￥5.737576	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 5.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 600mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： ChipFET™ 封装/外壳： 8-SMD，扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTHS5404T1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.789734 +10：￥13.226592 +100：￥10.309528 +500：￥8.516724 +1000：￥6.723679	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： ChipFET™
NTHS5404T1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.789734 +10：￥13.226592 +100：￥10.309528 +500：￥8.516724 +1000：￥6.723679	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： ChipFET™

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTHS5404T1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET 下载数据手册未分类	+1：￥18.815831 +10：￥16.918437 +100：￥13.012966 +500：￥10.751904 +1000：￥8.759639	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTHS5404T1G 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin Chip FET T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥5.476457	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NTHS5404T1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	30 毫欧 5.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	600mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	18 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	-
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.3W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	ChipFET™
封装/外壳:	8-SMD，扁平引线
温度:	-55°C # 150°C（TJ）