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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVBLS001N06C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥130.609457 +10：￥87.072931 +30：￥72.560796	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 51A（Ta），422A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.9 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 562µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 143 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11575 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 4.2W（Ta），284W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HPSOF 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	NVBLS001N06C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 51A（Ta），422A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.9 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 562µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 143 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11575 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 4.2W（Ta），284W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HPSOF 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	NVBLS001N06C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥37.595064	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 51A（Ta），422A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.9 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 562µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 143 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11575 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 4.2W（Ta），284W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HPSOF 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NVBLS001N06C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥91.967489	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 51A（Ta），422A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.9 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 562µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 143 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11575 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 4.2W（Ta），284W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HPSOF 封装/外壳： 8-PowerSFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
NVBLS001N06C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥168.341363 +10：￥152.095737 +100：￥125.924815 +500：￥109.653459 +1000：￥95.504709	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： 8-HPSOF
NVBLS001N06C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥168.341363 +10：￥152.095737 +100：￥125.924815 +500：￥109.653459 +1000：￥95.504709	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerSFN 供应商器件封装： 8-HPSOF

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVBLS001N06C ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF 下载数据手册未分类	+1：￥199.074429 +10：￥179.976232 +100：￥149.063047 +500：￥129.803001 +1000：￥112.970694	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 2000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVBLS001N06C 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R 下载数据手册未分类	+1：￥121.835567 +10：￥115.05325 +25：￥112.783362 +100：￥102.459473 +250：￥101.80312	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NVBLS001N06C参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	51A（Ta），422A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	0.9 毫欧 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 562µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	143 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	11575 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	4.2W（Ta），284W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-HPSOF
封装/外壳:	8-PowerSFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）