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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMT064N65S3H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥112.21056 +10：￥93.5088 +30：￥74.80704 +100：￥62.3392	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 64 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 3.9mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 82 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3745 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 260W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 4-TDFN（8x8）封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMT064N65S3H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN 下载数据手册未分类	+1：￥57.881749 +10：￥50.888296 +30：￥46.626661	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 64 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 3.9mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 82 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3745 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 260W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 4-TDFN（8x8）封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMT064N65S3H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥27.500453	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 64 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 3.9mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 82 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3745 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 260W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 4-TDFN（8x8）封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTMT064N65S3H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥67.273396	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 64 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 3.9mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 82 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3745 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 260W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 4-TDFN（8x8）封装/外壳： 4-PowerTSFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTMT064N65S3H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥126.588029 +10：￥108.485656 +100：￥90.407571 +500：￥79.770747 +1000：￥71.793844	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 4-PowerTSFN 供应商器件封装： 4-TDFN (8x8)
NTMT064N65S3H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥126.588029 +10：￥108.485656 +100：￥90.407571 +500：￥79.770747 +1000：￥71.793844	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 4-PowerTSFN 供应商器件封装： 4-TDFN (8x8)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMT064N65S3H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN 下载数据手册未分类	+1：￥144.545808 +10：￥123.966405 +25：￥112.696732 +100：￥103.223673 +250：￥97.180515	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMT064N65S3H 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin PQFN EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥60.856586	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NTMT064N65S3H参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	64 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 3.9mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	82 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3745 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	260W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	4-TDFN（8x8）
封装/外壳:	4-PowerTSFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）