NTMFS5C670NLT3G厂家价格_数据手册

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自营现货库存

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	NTMFS5C670NLT3G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN 下载数据手册未分类	+1：￥10.293488 +10：￥8.68718 +30：￥7.802071 +100：￥6.807689 +500：￥6.359671	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），71A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.1 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），61W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	NTMFS5C670NLT3G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN 下载数据手册未分类	+25：￥18.589564 +100：￥15.843353 +500：￥12.99149 +1000：￥10.77354 +2500：￥9.277112	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 17A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 6.1mOhm @ 35A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.6W (Ta), 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 250µA Supplier Device Package： 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1400 pF @ 25 V
	NTMFS5C670NLT3G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN 下载数据手册未分类	+1：￥18.496674 +10：￥16.460453 +25：￥16.298233 +100：￥13.033948 +250：￥12.901791	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），71A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.1 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），61W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	NTMFS5C670NLT3G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥2.193081 +10000：￥2.091851 +25000：￥2.087865	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），71A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.1 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），61W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTMFS5C670NLT3G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5000：￥5.364857 +10000：￥5.117221 +25000：￥5.10747	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），71A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.1 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.6W（Ta），61W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）
NTMFS5C670NLT3G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN 下载数据手册未分类	+1：￥13.619922 +10：￥11.143573 +100：￥8.665675 +500：￥7.345781 +1000：￥5.983944	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 17A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 6.1mOhm @ 35A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.6W (Ta), 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 250µA Supplier Device Package： 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1400 pF @ 25 V
NTMFS5C670NLT3G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN 下载数据手册未分类	+1：￥13.619922 +10：￥11.143573 +100：￥8.665675 +500：￥7.345781 +1000：￥5.983944	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 17A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 6.1mOhm @ 35A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 3.6W (Ta), 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 250µA Supplier Device Package： 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1400 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFS5C670NLT3G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN 下载数据手册未分类	+1：￥15.214102 +10：￥12.573495 +100：￥10.387559 +500：￥8.813688 +1000：￥7.169865	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 5000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFS5C670NLT3G 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R 下载数据手册未分类	+1：￥10.135904 +10：￥8.561048 +25：￥8.478235	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	NTMFS5C670NLT3G onsemi(安森美) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+10：￥6.957357 +25：￥6.887931 +100：￥5.498445 +250：￥5.442904 +500：￥4.582037	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NTMFS5C670NLT3G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	17A（Ta），71A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6.1 毫欧 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	20 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1400 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.6W（Ta），61W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳:	8-PowerTDFN，5 引线
温度:	-55°C # 175°C（TJ）