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MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN

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MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN

未分类

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货期:7~10 天

Packaging: Tape & Reel (TR)

Package / Case: 8-PowerWDFN

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA

Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)

Grade: Automotive

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V

Qualification: AEC-Q101

Mouser
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NVTFS5811NLTAG_晶体管
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MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN

晶体管

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货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: WDFN-8

系列: NVTFS5811NL

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 6.7 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V

Qg-栅极电荷: 17 nC

Pd-功率耗散: 21 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标: onsemi

配置: Single

正向跨导 - 最小值: 24.6 S

产品类型: MOSFET

晶体管类型: 1 N-Channel

单位重量: 29.570 mg

温度: - 55 C~+ 175 C

NVTFS5811NLTAG参数规格

属性 参数值
系列: *
工作温度: -
安装类型: -
封装/外壳: -
供应商器件封装: -