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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTD20P06LT4G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥8.246029 +200：￥5.576406 +800：￥4.093309 +2500：￥2.966194 +5000：￥2.817848	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 7.5A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1190 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 65W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTD20P06LT4G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥6.259734 +10：￥5.430004 +30：￥5.020391 +100：￥4.600275 +500：￥4.358708	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 7.5A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1190 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 65W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTD20P06LT4G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.60876	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 7.5A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1190 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 65W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTD20P06LT4G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 7.5A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1190 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 65W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	NTD20P06LT4G VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	NTD20P06LT4G VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥2.563792 +200：￥2.461226 +500：￥2.399757 +2500：￥2.358777	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTD20P06LT4G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.598909 +5000：￥2.468958 +12500：￥2.376113	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 7.5A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1190 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 65W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTD20P06LT4G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥6.35762 +5000：￥6.039725 +12500：￥5.812601	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 7.5A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 26 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1190 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 65W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DPAK 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
NTD20P06LT4G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.973755 +10：￥13.396874 +100：￥10.444526 +500：￥8.628064 +1000：￥6.811735	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： DPAK
NTD20P06LT4G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.973755 +10：￥13.396874 +100：￥10.444526 +500：￥8.628064 +1000：￥6.811735	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： DPAK

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTD20P06LT4G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥15.436224 +10：￥13.933582 +100：￥10.778035 +500：￥8.906564 +1000：￥7.021432	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 2500

NTD20P06LT4G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	15.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	150 毫欧 7.5A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	26 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1190 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	65W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DPAK
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）