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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTR3A30PZT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.716536 +10：￥1.447916 +30：￥1.332703 +100：￥1.217595 +500：￥1.140786	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 38 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1651 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 480mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTR3A30PZT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.983143 +6000：￥1.846408 +15000：￥1.778039 +30000：￥1.709604	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 38 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1651 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 480mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTR3A30PZT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.426864 +6000：￥3.190586 +15000：￥3.072446 +30000：￥2.95419	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 38 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1651 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 480mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTR3A30PZT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.878192 +10：￥7.800971 +100：￥5.979167 +500：￥4.72675 +1000：￥3.781399	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 (TO-236)
NTR3A30PZT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.878192 +10：￥7.800971 +100：￥5.979167 +500：￥4.72675 +1000：￥3.781399	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 (TO-236)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTR3A30PZT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥10.204104 +10：￥8.966006 +100：￥6.88437 +500：￥5.442189 +1000：￥4.353752	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTR3A30PZT1G 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥2.831535 +6000：￥2.779218	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NTR3A30PZT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	38 毫欧 3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	17.6 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1651 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	480mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）