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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTMS10P02R2G_晶体管-FET,MOSFET-单个
NTMS10P02R2G
授权代理品牌
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¥19.25352

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¥12.83568

+30:

¥10.6964

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.8A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 14 毫欧 10A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 70 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3640 pF 16 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.6W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SOIC

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 现货库存
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NTMS10P02R2G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥9.758052

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¥8.129889

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¥7.24478

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.8A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 14 毫欧 10A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 70 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3640 pF 16 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.6W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SOIC

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

NTMS10P02R2G_未分类
NTMS10P02R2G
授权代理品牌
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¥2.015644

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¥1.607074

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¥1.432018

+500:

¥1.186592

+2500:

¥1.089339

库存: 1000 +

国内:1~2 天

类型: P沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 13A

功率(Pd): 19W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 15mΩ@4.5V,5.6A

阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.2V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs): 20nC@4.5V

工作温度: -55℃~+150℃@(Tj)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTMS10P02R2G_未分类
NTMS10P02R2G
授权代理品牌

NTMS10P02R2G VBSEMI/台湾微碧半导体

未分类

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¥1.347316

+50:

¥1.324128

+500:

¥1.277647

+5000:

¥1.24276

+30000:

¥1.161497

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
NTMS10P02R2G_未分类
NTMS10P02R2G
授权代理品牌

MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC

未分类

+10:

¥18.75292

+100:

¥14.584313

+500:

¥12.040047

+1000:

¥9.507063

+2500:

¥8.916385

库存: 1000 +

国内:1~2 天

Packaging: Bulk

Package / Case: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C # 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 4.5V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA

Supplier Device Package: 8-SOIC

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V

Vgs (Max): ±12V

Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 16 V

NTMS10P02R2G_未分类
NTMS10P02R2G
授权代理品牌

MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC

未分类

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.8A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 14 毫欧 10A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 70 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3640 pF 16 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.6W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SOIC

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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+2500:

¥4.262136

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.8A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 14 毫欧 10A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 70 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3640 pF 16 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.6W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SOIC

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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+2500:

¥10.426315

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.8A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 14 毫欧 10A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 70 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3640 pF 16 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.6W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SOIC

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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¥23.617196

+10:

¥21.241903

+100:

¥17.07089

+500:

¥14.025629

+1000:

¥11.621289

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

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¥21.241903

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¥17.07089

+500:

¥14.025629

+1000:

¥11.621289

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

NTMS10P02R2G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 14 毫欧 10A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 70 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3640 pF 16 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.6W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
温度: -55°C # 150°C(TJ)