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	NTB35N15T4G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.211689 +10：￥7.84578 +30：￥7.102726 +100：￥6.261326 +500：￥5.878871	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 18.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta），178W（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTB35N15T4G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.00483 +100：￥17.087648 +500：￥15.741495 +1000：￥14.953208	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 18.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta），178W（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	NTB35N15T4G 授权代理品牌	NTB35N15T4G VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥8.162645 +5：￥7.958556 +10：￥7.754467 +30：￥7.550493 +50：￥7.414357	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	NTB35N15T4G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 18.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta），178W（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTB35N15T4G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥10.591204	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 18.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta），178W（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTB35N15T4G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥25.908891	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 18.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta），178W（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTB35N15T4G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥49.459166	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK
NTB35N15T4G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥49.459166	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK
NTB35N15T4G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 37A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 50mOhm @ 18.5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2W (Ta), 178W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA Supplier Device Package： D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3200 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTB35N15T4G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 37A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 18.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 100 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta），178W（Tj）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

NTB35N15T4G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	37A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	50 毫欧 18.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	100 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3200 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2W（Ta），178W（Tj）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D²PAK
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）