类型： P沟道

漏源电压(Vdss)： 30V

连续漏极电流(Id)： 60.5A

功率(Pd)： 5W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 8mΩ@10V,10A

阈值电压(Vgs(th)@Id)： 2.5V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs)： 57nC@10V

输入电容(Ciss@Vds)： 2.55nF@15V

反向传输电容(Crss@Vds)： 390pF@15V

工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-220-3

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -65°C # 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 24A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 50mOhm @ 12A, 4.5V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 60W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA

Supplier Device Package： TO-220-3

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V

Vgs (Max)： ±8V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 35 nC @ 5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1590 pF @ 10 V

品牌： onsemi

包装： 管件,散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 12A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1590 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 60W（Tc）

工作温度： -65°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220-3

封装/外壳： TO-220-3

温度： -65°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件,散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 12A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1590 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 60W（Tc）

工作温度： -65°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220-3

封装/外壳： TO-220-3

温度： -65°C # 175°C（TJ）