NTMFS5H610NLT1G厂家价格_数据手册

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFS5H610NLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 12A 44A 5DFN 下载数据手册未分类	+1：￥12.697488 +200：￥4.917272 +500：￥4.742435 +1500：￥4.665944	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta）44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 880 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），43W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFS5H610NLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 12A 44A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥2.246343 +3000：￥2.00063 +7500：￥1.895324 +10500：￥1.754976	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta）44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 880 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），43W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTMFS5H610NLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 12A 44A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥5.49515 +3000：￥4.89407 +7500：￥4.636466 +10500：￥4.293136	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta）44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 40µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 880 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），43W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTMFS5H610NLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 12A 44A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.858829 +10：￥11.158607 +100：￥7.728157 +500：￥6.456847	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN, 5 Leads 供应商器件封装： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
NTMFS5H610NLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 12A 44A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.858829 +10：￥11.158607 +100：￥7.728157 +500：￥6.456847	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN, 5 Leads 供应商器件封装： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFS5H610NLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 12A 44A 5DFN 下载数据手册未分类	+1：￥14.699574 +10：￥12.755964 +100：￥9.391395 +500：￥8.689082 +1000：￥8.084765	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 標準包裝數量： 1500

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFS5H610NLT1G ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 12A 5-Pin SO-FL EP T/R 下载数据手册未分类	+1：￥24.297871 +10：￥21.613849 +25：￥21.399004 +100：￥17.111418 +250：￥16.937051	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFS5H610NLT1G onsemi(安森美) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+1：￥14.998178 +10：￥13.432954 +100：￥10.795892 +500：￥8.869608 +1500：￥7.349751	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	NTMFS5H610NLT1G onsemi(安森美) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+10：￥7.376171 +25：￥7.243215 +100：￥5.15542 +250：￥2.940448	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NTMFS5H610NLT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12A（Ta）44A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	10 毫欧 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 40µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	13.7 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	880 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3W（Ta），43W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳:	8-PowerTDFN，5 引线
温度:	-55°C # 150°C（TJ）