品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 最后售卖

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 281mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3 欧姆 200mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.1 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 44 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 155mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-883（XDFN3）（1x0.6）

封装/外壳： 3-XFDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 最后售卖

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 281mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3 欧姆 200mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.1 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 44 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 155mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-883（XDFN3）（1x0.6）

封装/外壳： 3-XFDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 最后售卖

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 281mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3 欧姆 200mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.1 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 44 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 155mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-883（XDFN3）（1x0.6）

封装/外壳： 3-XFDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 最后售卖

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 281mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3 欧姆 200mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.1 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 44 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 155mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-883（XDFN3）（1x0.6）

封装/外壳： 3-XFDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： 3-XFDFN

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 281mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.3Ohm @ 200mA, 4.5V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 155mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA

Supplier Device Package： SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)

Part Status： Obsolete

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 1.5V, 4.5V

Vgs (Max)： ±8V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 1.1 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 44 pF @ 10 V

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-883-3

系列： NTNS3A65PZ

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： P-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 20 V

Id-连续漏极电流： 281 mA

Rds On-漏源导通电阻： 1.3 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压： - 8 V, + 8 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1 V

Qg-栅极电荷： 1.1 nC

Pd-功率耗散： 155 mW

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Single

产品类型： MOSFET

单位重量： 0.670 mg

温度： - 55 C~+ 150 C