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自营 现货库存
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NTMFS5C410NT1G_未分类
NTMFS5C410NT1G
授权代理品牌

MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN

未分类

+1:

¥13.702797

+10:

¥11.779597

+30:

¥10.56667

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 46A(Ta),300A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 0.92 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 86 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6100 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.9W(Ta),166W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 5-DFN(5x6)(8-SOFL)

封装/外壳: 8-PowerTDFN,5 引线

温度: -55°C # 175°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTMFS5C410NT1G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥13.432815

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 46A(Ta),300A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 0.92 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 86 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6100 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.9W(Ta),166W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 5-DFN(5x6)(8-SOFL)

封装/外壳: 8-PowerTDFN,5 引线

温度: -55°C # 175°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTMFS5C410NT1G_晶体管-FET,MOSFET-单个
NTMFS5C410NT1G
授权代理品牌
+1:

¥50.424602

+100:

¥32.186606

+500:

¥26.535852

+1000:

¥24.396561

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 46A(Ta),300A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 0.92 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 86 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6100 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.9W(Ta),166W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 5-DFN(5x6)(8-SOFL)

封装/外壳: 8-PowerTDFN,5 引线

温度: -55°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTMFS5C410NT1G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1500:

¥25.319337

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 46A(Ta),300A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 0.92 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 86 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6100 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.9W(Ta),166W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 5-DFN(5x6)(8-SOFL)

封装/外壳: 8-PowerTDFN,5 引线

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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NTMFS5C410NT1G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1500:

¥15.385375

+3000:

¥14.61605

+7500:

¥14.066532

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 46A(Ta),300A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 0.92 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 86 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6100 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.9W(Ta),166W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 5-DFN(5x6)(8-SOFL)

封装/外壳: 8-PowerTDFN,5 引线

温度: -55°C # 175°C(TJ)

NTMFS5C410NT1G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥32.397869

+10:

¥26.927614

+100:

¥21.429944

+500:

¥18.132588

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN, 5 Leads

供应商器件封装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

NTMFS5C410NT1G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥32.397869

+10:

¥26.927614

+100:

¥21.429944

+500:

¥18.132588

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN, 5 Leads

供应商器件封装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTMFS5C410NT1G_未分类
NTMFS5C410NT1G
授权代理品牌

MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN

未分类

+1:

¥41.032995

+10:

¥34.220567

+100:

¥27.091282

+250:

¥25.031712

+500:

¥22.813712

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 1500

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NTMFS5C410NT1G_未分类
NTMFS5C410NT1G
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R

未分类

+1500:

¥24.266364

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
NTMFS5C410NT1G_未分类
NTMFS5C410NT1G
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R

未分类

+1:

¥26.001295

+10:

¥23.648632

+25:

¥17.740831

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

NTMFS5C410NT1G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 46A(Ta),300A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 0.92 毫欧 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 86 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6100 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.9W(Ta),166W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封装/外壳: 8-PowerTDFN,5 引线
温度: -55°C # 175°C(TJ)