NTMFS5C410NT1G厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFS5C410NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.522586 +10：￥20.844186 +30：￥17.165786 +100：￥15.326586 +500：￥14.100493	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Ta），300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.92 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 86 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.9W（Ta），166W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFS5C410NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN 下载数据手册未分类	+1：￥13.702797 +10：￥11.779597 +30：￥10.56667	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Ta），300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.92 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 86 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.9W（Ta），166W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	NTMFS5C410NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.432815	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Ta），300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.92 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 86 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.9W（Ta），166W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	NTMFS5C410NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥50.424602 +100：￥32.186606 +500：￥26.535852 +1000：￥24.396561	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Ta），300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.92 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 86 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.9W（Ta），166W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFS5C410NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥7.211414 +3000：￥6.850817 +7500：￥6.593248	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Ta），300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.92 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 86 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.9W（Ta），166W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTMFS5C410NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥17.641029 +3000：￥16.758912 +7500：￥16.12883	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 46A（Ta），300A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 0.92 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 86 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.9W（Ta），166W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）
NTMFS5C410NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥37.147728 +10：￥30.875478 +100：￥24.571794 +500：￥20.791012	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN, 5 Leads 供应商器件封装： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
NTMFS5C410NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥37.147728 +10：￥30.875478 +100：￥24.571794 +500：￥20.791012	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN, 5 Leads 供应商器件封装： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFS5C410NT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN 下载数据手册未分类	+1：￥42.302106 +10：￥35.278977 +100：￥27.92919 +250：￥25.805918 +500：￥23.519318	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 1500

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFS5C410NT1G 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R 下载数据手册未分类	+1500：￥23.892687	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NTMFS5C410NT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	46A（Ta），300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	0.92 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	86 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6100 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.9W（Ta），166W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳:	8-PowerTDFN，5 引线
温度:	-55°C # 175°C（TJ）