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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVTFS4C25NTAG ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.1A/22.1A 8DFN 下载数据手册未分类	+1：￥2.950687 +200：￥1.141877 +500：￥1.101755 +1500：￥1.08201	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.1A（Ta），22.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 500 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），14.3W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-WDFN（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVTFS4C25NTAG ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.1A/22.1A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥2.21707	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.1A（Ta），22.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 500 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），14.3W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-WDFN（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NVTFS4C25NTAG ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.1A/22.1A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥5.42354	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10.1A（Ta），22.1A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.3 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 500 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W（Ta），14.3W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-WDFN（3.3x3.3）封装/外壳： 8-PowerWDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
NVTFS4C25NTAG ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.1A/22.1A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.758715 +10：￥11.184235 +100：￥8.575485 +500：￥6.779493	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-WDFN (3.3x3.3)
NVTFS4C25NTAG ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.1A/22.1A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.758715 +10：￥11.184235 +100：￥8.575485 +500：￥6.779493	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-WDFN (3.3x3.3)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVTFS4C25NTAG ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 10.1A/22.1A 8DFN 下载数据手册未分类	+1：￥13.605489 +10：￥12.006493 +100：￥9.201238 +500：￥7.279638 +1000：￥5.820906	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 1500

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVTFS4C25NTAG 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 10.1A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R 下载数据手册未分类	+1500：￥3.946325	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NVTFS4C25NTAG参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10.1A（Ta），22.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	17 毫欧 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10.3 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	500 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3W（Ta），14.3W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳:	8-PowerWDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）