NVMFS5C612NWFT1G厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFS5C612NWFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 34A/225A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥93.189481 +10：￥62.12624 +30：￥51.771907	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34A（Ta），225A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.65 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 62 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），167W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFS5C612NWFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 34A/225A 5DFN 下载数据手册未分类	+1：￥32.628828 +10：￥31.842065 +30：￥29.011902	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34A（Ta），225A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.65 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 62 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），167W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFS5C612NWFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 34A/225A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥16.488656 +3000：￥15.664244	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34A（Ta），225A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.65 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 62 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），167W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NVMFS5C612NWFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 34A/225A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥40.335622 +3000：￥38.31889	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34A（Ta），225A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.65 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 62 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），167W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）
NVMFS5C612NWFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 34A/225A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥76.371316 +10：￥68.566949 +100：￥56.181694 +500：￥47.826563	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN, 5 Leads 供应商器件封装： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
NVMFS5C612NWFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 34A/225A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥76.371316 +10：￥68.566949 +100：￥56.181694 +500：￥47.826563	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN, 5 Leads 供应商器件封装： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFS5C612NWFT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 34A/225A 5DFN 下载数据手册未分类	+1：￥87.961992 +10：￥73.797138 +25：￥70.12477 +100：￥59.807161 +250：￥56.484541	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 1500

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFS5C612NWFT1G onsemi(安森美) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 225A, 175度 C, 167W 下载数据手册未分类	+1：￥50.717803 +10：￥40.426042 +100：￥32.576858 +500：￥25.921518 +1500：￥25.674516	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFS5C612NWFT1G onsemi(安森美) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 60V, 225A, 175DEG C, 167W 下载数据手册未分类	+1：￥53.247615 +10：￥42.454179 +100：￥34.210772 +500：￥27.21713 +1500：￥25.841125	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NVMFS5C612NWFT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	34A（Ta），225A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.65 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	62 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4900 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.8W（Ta），167W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳:	8-PowerTDFN，5 引线
温度:	-55°C # 175°C（TJ）