品牌： onsemi

包装： 管件,管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 800 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.5 欧姆 1.2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 440 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 96W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： I-Pak

封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-247-3

系列：

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： Through Hole

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 800 V

Id-连续漏极电流： 2.9 A

Rds On-漏源导通电阻： 4.5 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压： - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 4.5 V

Qg-栅极电荷： 17 nC

Pd-功率耗散： 96 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Single

湿度敏感性： Yes

产品类型： MOSFET

晶体管类型： 1 N-Channel

单位重量： 6 g

温度： - 55 C~+ 150 C