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NTD3055-150T4G_晶体管-FET,MOSFET-单个
NTD3055-150T4G
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¥19.311721

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¥10.728707

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 150 毫欧 4.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 280 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.5W(Ta),28.8W(Tj)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: DPAK

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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NTD3055-150T4G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 150 毫欧 4.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 280 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.5W(Ta),28.8W(Tj)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: DPAK

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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NTD3055-150T4G_未分类
NTD3055-150T4G
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NTD3055-150T4G BYCHIP/百域芯

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库存: 1000 +

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NTD3055-150T4G_未分类
NTD3055-150T4G
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NTD3055-150T4G UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

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NTD3055-150T4G
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NTD3055-150T4G VBSEMI/微碧半导体

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¥1.80138

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库存: 1000 +

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NTD3055-150T4G_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥2.038828

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 150 毫欧 4.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 280 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 1.5W(Ta),28.8W(Tj)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: DPAK

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 150 毫欧 4.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15 nC 10 V

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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 280 pF 25 V

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功率耗散(最大值): 1.5W(Ta),28.8W(Tj)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: DPAK

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 175°C(TJ)

NTD3055-150T4G_晶体管-FET,MOSFET-单个
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货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: DPAK

Mouser
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MOSFET N-CH 60V 9A DPAK

未分类

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¥11.269673

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¥8.770747

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货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 2500

NTD3055-150T4G参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 150 毫欧 4.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 280 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.5W(Ta),28.8W(Tj)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DPAK
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -55°C # 175°C(TJ)