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NTB095N65S3HF_晶体管-FET，MOSFET-单个
NTB095N65S3HF
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥68.766599

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￥45.84448

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￥38.203693

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： FRFET®, SuperFET® III

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 36A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 18A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 860µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2930 pF 400 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 272W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D²PAK-3（TO-263-3）

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NTB095N65S3HF_未分类
NTB095N65S3HF
ON(安森美)
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MOSFET N-CH 650V 36A D2PAK-3

未分类
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￥25.875775

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： FRFET®, SuperFET® III

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 36A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 18A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 860µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2930 pF 400 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 272W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D²PAK-3（TO-263-3）

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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NTB095N65S3HF_未分类
NTB095N65S3HF
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 650V 36A D2PAK-3

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未分类
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库存： 1000 +

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Digi-Key
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NTB095N65S3HF_晶体管-FET，MOSFET-单个
NTB095N65S3HF
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥50.288604

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货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： FRFET®, SuperFET® III

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 36A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 18A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 860µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2930 pF 400 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 272W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D²PAK-3（TO-263-3）

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

温度： -55°C # 150°C（TJ）

NTB095N65S3HF_晶体管-FET，MOSFET-单个
NTB095N65S3HF
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥115.045738

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￥78.068936

+100：

￥57.16182

库存： 0

货期：7~10 天

系列： FRFET®, SuperFET® III

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装： D²PAK-3 (TO-263-3)

NTB095N65S3HF_晶体管-FET，MOSFET-单个
NTB095N65S3HF
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥115.045738

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￥78.068936

+100：

￥57.16182

库存： 0

货期：7~10 天

系列： FRFET®, SuperFET® III

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装： D²PAK-3 (TO-263-3)

Mouser
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NTB095N65S3HF
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 650V 36A D2PAK-3

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未分类
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￥106.793833

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￥75.617994

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￥75.452165

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￥57.210982

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￥57.045153

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SC-70-3

系列： SuperFET3

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 650 V

Id-连续漏极电流： 36 A

Rds On-漏源导通电阻： 95 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 3 V

Qg-栅极电荷： 66 nC

Pd-功率耗散： 272 W

通道模式： Enhancement

商标名： SuperFET III

商标： onsemi

配置： Single

下降时间： 24 ns

正向跨导 - 最小值： 17 S

产品类型： MOSFET

上升时间： 28 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 72 ns

典型接通延迟时间： 28 ns

单位重量： 1.485 g

温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿
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NTB095N65S3HF
ON Semiconductor
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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未分类
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￥69.479603

+4000：

￥69.139092

+8000：

￥68.798582

+12000：

￥68.442593

+20000：

￥68.086605

库存： 0

货期：7~10 天

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NTB095N65S3HF_未分类
NTB095N65S3HF
onsemi(安森美)
授权代理品牌

场效应管, MOSFET, N沟道, 36A, 650V, TO-263

未分类
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￥36.164449

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￥35.504754

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货期：7~10 天

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NTB095N65S3HF_未分类
NTB095N65S3HF
onsemi(安森美)
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MOSFET, N-CH, 36A, 650V, TO-263

未分类
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￥77.564999

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￥53.420897

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￥39.159154

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￥38.061115

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￥36.950307

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货期：7~10 天

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NTB095N65S3HF参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列: FRFET®, SuperFET® III
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 95 毫欧 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V 860µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 66 nC 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2930 pF 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 272W（Tc）
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D²PAK-3（TO-263-3）
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度: -55°C # 150°C（TJ）