NTS4101PT1G厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 NTS4101PT1G 共 35 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTS4101PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.168981 +200：￥0.790493 +800：￥0.580316 +3000：￥0.420475 +6000：￥0.399421	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.37A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 840 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 329mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTS4101PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.413941 +100：￥0.384296	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.37A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 840 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 329mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTS4101PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3 下载数据手册未分类	+3000：￥11.114199	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.37A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 840 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 329mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTS4101PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.7704 +200：￥0.496622 +1500：￥0.431678 +3000：￥0.382016 +45000：￥0.378196	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.37A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 840 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 329mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTS4101PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.398802 +6000：￥0.392319 +9000：￥0.388962 +12000：￥0.379122	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.37A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 840 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 329mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTS4101PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.785217 +3000：￥0.77202 +6000：￥0.752225 +12000：￥0.745626	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.37A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 840 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 329mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTS4101PT1G 授权代理品牌	NTS4101PT1G UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+3000：￥0.288943 +6000：￥0.264171 +9000：￥0.240207	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTS4101PT1G 授权代理品牌	NTS4101PT1G VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+50：￥0.612963 +100：￥0.586916 +500：￥0.560869 +1000：￥0.536559	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTS4101PT1G 授权代理品牌	NTS4101PT1G VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+50：￥0.531234 +100：￥0.508661 +500：￥0.486087 +1000：￥0.465018	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTS4101PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.544047 +6000：￥0.520132 +9000：￥0.44984 +30000：￥0.441426 +75000：￥0.365503	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.37A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 840 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 329mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

NTS4101PT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.37A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	120 毫欧 1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	9 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	840 pF 20 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	329mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SC-70-3（SOT323）
封装/外壳:	SC-70，SOT-323
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTS4101PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3 下载数据手册未分类	+3000：￥11.114199	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.37A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 840 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 329mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTS4101PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.7704 +200：￥0.496622 +1500：￥0.431678 +3000：￥0.382016 +45000：￥0.378196	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.37A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 840 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 329mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTS4101PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.398802 +6000：￥0.392319 +9000：￥0.388962 +12000：￥0.379122	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.37A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 840 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 329mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTS4101PT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.785217 +3000：￥0.77202 +6000：￥0.752225 +12000：￥0.745626	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.37A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 840 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 329mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SC-70-3（SOT323）封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
NTS4101PT1G 授权代理品牌	NTS4101PT1G UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+3000：￥0.288943 +6000：￥0.264171 +9000：￥0.240207	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTS4101PT1G 授权代理品牌	NTS4101PT1G VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+50：￥0.612963 +100：￥0.586916 +500：￥0.560869 +1000：￥0.536559	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTS4101PT1G 授权代理品牌	NTS4101PT1G VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+50：￥0.531234 +100：￥0.508661 +500：￥0.486087 +1000：￥0.465018	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数