搜索 NVMTS0D4N04CLTXG 共 9 条相关记录
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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NVMTS0D4N04CLTXG 授权代理品牌 | 场效应管, MOSFET, AECQ101, N沟道, 40V, 553.8A, 244W | +1: ¥98.762071 +10: ¥82.807394 +100: ¥69.939031 +500: ¥56.116003 +3000: ¥55.252881 | 暂无参数 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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NVMTS0D4N04CLTXG 授权代理品牌 | MOSFET, AECQ101, N-CH, 40V, 553.8A, 244W | +1: ¥104.306959 +10: ¥87.452819 +100: ¥73.865447 +500: ¥59.261746 +3000: ¥55.402114 | 暂无参数 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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NVMTS0D4N04CLTXG 授权代理品牌 | onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 553.8 A, DFNW8, 贴片安装, 8引脚 | +750: ¥82.850783 +1500: ¥80.393824 | 暂无参数 | ||
NVMTS0D4N04CLTXG 授权代理品牌 | onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 553.8 A, DFNW8, 贴片安装, 8引脚 | +3000: ¥57.177955 +15000: ¥56.034158 | 暂无参数 |
NVMTS0D4N04CLTXG参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | onsemi |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | Automotive, AEC-Q101 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 40 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 553.8A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 0.4 毫欧 50A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 163 nC 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 20600 pF 20 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 5W(Ta) |
工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-DFNW(8.3x8.4) |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
温度: | -55°C # 175°C(TJ) |