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NVMTS0D4N04CLTXG_未分类
NVMTS0D4N04CLTXG
授权代理品牌

MOSFET N-CH 40V 553.8A 8DFNW

未分类

+1:

¥61.837421

+10:

¥54.964168

+30:

¥50.779024

+100:

¥47.27137

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 553.8A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 0.4 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 163 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 20600 pF 20 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 5W(Ta)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-DFNW(8.3x8.4)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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NVMTS0D4N04CLTXG_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+3000:

¥78.089242

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 553.8A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 0.4 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 163 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 20600 pF 20 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 5W(Ta)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-DFNW(8.3x8.4)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -55°C # 175°C(TJ)

NVMTS0D4N04CLTXG_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥146.876403

+10:

¥125.930801

+100:

¥104.942334

+500:

¥92.595859

+1000:

¥83.336358

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFNW (8.3x8.4)

NVMTS0D4N04CLTXG_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥146.876403

+10:

¥125.930801

+100:

¥104.942334

+500:

¥92.595859

+1000:

¥83.336358

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFNW (8.3x8.4)

Mouser
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NVMTS0D4N04CLTXG_未分类
NVMTS0D4N04CLTXG
授权代理品牌

MOSFET N-CH 40V 553.8A 8DFNW

未分类

+1:

¥167.901797

+10:

¥144.055821

+25:

¥142.259208

+100:

¥120.046518

+500:

¥107.143559

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 3000

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NVMTS0D4N04CLTXG_未分类
NVMTS0D4N04CLTXG
授权代理品牌

场效应管, MOSFET, AECQ101, N沟道, 40V, 553.8A, 244W

未分类

+1:

¥98.762071

+10:

¥82.807394

+100:

¥69.939031

+500:

¥56.116003

+3000:

¥55.252881

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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NVMTS0D4N04CLTXG_未分类
NVMTS0D4N04CLTXG
授权代理品牌

MOSFET, AECQ101, N-CH, 40V, 553.8A, 244W

未分类

+1:

¥104.306959

+10:

¥87.452819

+100:

¥73.865447

+500:

¥59.261746

+3000:

¥55.402114

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
NVMTS0D4N04CLTXG_未分类
NVMTS0D4N04CLTXG
授权代理品牌

onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 553.8 A, DFNW8, 贴片安装, 8引脚

未分类

+750:

¥82.850783

+1500:

¥80.393824

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
NVMTS0D4N04CLTXG_未分类
NVMTS0D4N04CLTXG
授权代理品牌

onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 553.8 A, DFNW8, 贴片安装, 8引脚

未分类

+3000:

¥57.177955

+15000:

¥56.034158

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

NVMTS0D4N04CLTXG参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 553.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 0.4 毫欧 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 163 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 20600 pF 20 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 5W(Ta)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-DFNW(8.3x8.4)
封装/外壳: 8-PowerTDFN
温度: -55°C # 175°C(TJ)