品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 760mA（Tj）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 350mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.1 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±6V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 156 pF 5 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 301mW（Tj）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SC-75，SOT-416

封装/外壳： SC-75，SOT-416

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 760mA（Tj）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 350mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.1 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±6V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 156 pF 5 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 301mW（Tj）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SC-75，SOT-416

封装/外壳： SC-75，SOT-416

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 760mA（Tj）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 350mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.1 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±6V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 156 pF 5 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 301mW（Tj）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SC-75，SOT-416

封装/外壳： SC-75，SOT-416

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 760mA（Tj）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 350mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.1 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±6V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 156 pF 5 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 301mW（Tj）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SC-75，SOT-416

封装/外壳： SC-75，SOT-416

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 760mA（Tj）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 360 毫欧 350mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.1 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±6V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 156 pF 5 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 301mW（Tj）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SC-75，SOT-416

封装/外壳： SC-75，SOT-416

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SC-75-3

系列： NTA4151P

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： P-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 20 V

Id-连续漏极电流： 760 mA

Rds On-漏源导通电阻： 1 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压： - 6 V, + 6 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1.2 V

Qg-栅极电荷： 2.1 nC

Pd-功率耗散： 301 mW

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Single

下降时间： 20.4 ns

正向跨导 - 最小值： 0.4 S

高度： 0.75 mm

长度： 1.6 mm

产品： MOSFET Small Signal

产品类型： MOSFET

上升时间： 8.2 ns

晶体管类型： 1 P-Channel

类型： MOSFET

典型关闭延迟时间： 29 ns

典型接通延迟时间： 8 ns

宽度： 0.8 mm

单位重量： 2.750 mg

温度： - 55 C~+ 150 C