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NTD4979N-35G_null
NTD4979N-35G
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME

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¥3.479752

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¥1.347343

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¥1.304907

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¥1.27308

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

供应商器件封装: I-PAK

Digi-Key
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NTD4979N-35G_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME

晶体管-FET,MOSFET-单个

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Through Hole

封装/外壳: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

供应商器件封装: I-PAK

Mouser
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NTD4979N-35G_晶体管
NTD4979N-35G
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Tube

封装/外壳: TO-252-3

系列: NTD4979N

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 9 A

Rds On-漏源导通电阻: 9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V

Qg-栅极电荷: 9 nC

Pd-功率耗散: 2.56 W

通道模式: Enhancement

商标: onsemi

配置: Single

产品类型: MOSFET

晶体管类型: 1 N-Channel

单位重量: 330 mg

温度: - 55 C~+ 175 C

NTD4979N-35G参数规格

属性 参数值
系列: -
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
安装类型: Through Hole
封装/外壳: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供应商器件封装: I-PAK