NTMJS1D4N06CLTWG厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMJS1D4N06CLTWG ON(安森美) 授权代理品牌	T6 60V LL LFPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥89.38512 +10：￥59.59008 +30：￥49.6584	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 39A（Ta），262A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 103 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7430 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 4W（Ta），180W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-LFPAK 封装/外壳： SOT-1205，8-LFPAK56 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMJS1D4N06CLTWG ON(安森美) 授权代理品牌	T6 60V LL LFPAK 下载数据手册	+1：￥58.133076 +10：￥51.041278 +30：￥46.714079	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 39A（Ta），262A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 103 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7430 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 4W（Ta），180W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-LFPAK 封装/外壳： SOT-1205，8-LFPAK56 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMJS1D4N06CLTWG ON(安森美) 授权代理品牌	T6 60V LL LFPAK 下载数据手册未分类	+10：￥81.605677 +100：￥67.562772 +500：￥58.835088 +1000：￥51.298148	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMJS1D4N06CLTWG ON(安森美) 授权代理品牌	T6 60V LL LFPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.21175 +200：￥4.34025 +500：￥4.185 +1000：￥4.11075	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 39A（Ta），262A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 103 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7430 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 4W（Ta），180W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-LFPAK 封装/外壳： SOT-1205，8-LFPAK56 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTMJS1D4N06CLTWG ON(安森美) 授权代理品牌	T6 60V LL LFPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.426912 +200：￥10.617401 +500：￥10.237619 +1000：￥10.055983	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 39A（Ta），262A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.3 毫欧 50A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 280µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 103 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7430 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 4W（Ta），180W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-LFPAK 封装/外壳： SOT-1205，8-LFPAK56 温度： -55°C # 175°C（TJ）
NTMJS1D4N06CLTWG ON(安森美) 授权代理品牌	T6 60V LL LFPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.426912 +200：￥10.617401 +500：￥10.237619 +1000：￥10.055983	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-1205, 8-LFPAK56 供应商器件封装： 8-LFPAK
NTMJS1D4N06CLTWG ON(安森美) 授权代理品牌	T6 60V LL LFPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.426912 +200：￥10.617401 +500：￥10.237619 +1000：￥10.055983	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-1205, 8-LFPAK56 供应商器件封装： 8-LFPAK

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMJS1D4N06CLTWG ON(安森美) 授权代理品牌	T6 60V LL LFPAK 下载数据手册未分类	+1：￥135.914629 +10：￥122.870191 +100：￥101.690512 +500：￥86.822658 +1000：￥76.443213	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

NTMJS1D4N06CLTWG参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	39A（Ta），262A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.3 毫欧 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 280µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	103 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7430 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	4W（Ta），180W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-LFPAK
封装/外壳:	SOT-1205，8-LFPAK56
温度:	-55°C # 175°C（TJ）