NVMFS5C680NLT1G厂家价格_数据手册

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自营现货库存

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	NVMFS5C680NLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 8.1A/21A 5DFN 下载数据手册未分类	+1：￥5.32158 +10：￥4.392763 +30：￥3.92289 +100：￥3.463945 +500：￥3.190763	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.1A（Ta），21A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27.5 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 13µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.4W（Ta），24W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFS5C680NLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 8.1A/21A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.1A（Ta），21A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27.5 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 13µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.4W（Ta），24W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFS5C680NLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 8.1A/21A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥2.861261 +3000：￥2.693536 +7500：￥2.565227 +10500：￥2.446852	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.1A（Ta），21A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27.5 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 13µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.4W（Ta），24W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NVMFS5C680NLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 8.1A/21A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥6.999403 +3000：￥6.589102 +7500：￥6.275224 +10500：￥5.985647	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.1A（Ta），21A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27.5 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 13µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.4W（Ta），24W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）
NVMFS5C680NLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 8.1A/21A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.941498 +10：￥13.031789 +100：￥10.137556 +500：￥8.592313	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN, 5 Leads 供应商器件封装： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
NVMFS5C680NLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 8.1A/21A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.941498 +10：￥13.031789 +100：￥10.137556 +500：￥8.592313	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN, 5 Leads 供应商器件封装： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFS5C680NLT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 8.1A/21A 5DFN 下载数据手册未分类	+1：￥17.837225 +10：￥13.902544 +100：￥11.296908 +500：￥9.705548 +1000：￥7.904338	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 1500

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFS5C680NLT1G ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 8.1A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R 下载数据手册未分类	+1500：￥6.605659 +3000：￥6.298382 +7500：￥6.235993 +9000：￥6.006706 +10500：￥5.807054	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NVMFS5C680NLT1G onsemi(安森美) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+1500：￥4.177122	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	NVMFS5C680NLT1G onsemi(安森美) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+10：￥7.12626 +25：￥7.055245 +100：￥5.827258 +250：￥5.767092 +500：￥4.961257	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

NVMFS5C680NLT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8.1A（Ta），21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	27.5 毫欧 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 13µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	5.8 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	330 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.4W（Ta），24W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳:	8-PowerTDFN，5 引线
温度:	-55°C # 175°C（TJ）