NTMFS6D1N08HT1G厂家价格_数据手册

搜索 NTMFS6D1N08HT1G 共 12 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFS6D1N08HT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.184615 +10：￥13.45641 +30：￥11.213675	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），89A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 120µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2085 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFS6D1N08HT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN 下载数据手册	+1：￥5.771296 +200：￥2.238499 +500：￥2.164236 +1000：￥2.1218	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），89A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 120µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2085 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTMFS6D1N08HT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN 下载数据手册未分类	+35：￥7.649438	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），89A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 120µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2085 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）
NTMFS6D1N08HT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN 下载数据手册未分类	+10：￥16.632977 +100：￥13.060747 +500：￥10.703952 +1000：￥8.568145 +1500：￥7.880713	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTMFS6D1N08HT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.908852 +30：￥3.841432 +100：￥3.74041	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），89A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 120µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2085 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）
NTMFS6D1N08HT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥4.043692 +50：￥3.942562 +200：￥3.908852 +1000：￥3.875142 +3000：￥3.77412	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），89A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 120µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2085 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	NTMFS6D1N08HT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥4.200326 +3000：￥3.920293 +7500：￥3.724265 +10500：￥3.584276	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），89A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 120µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2085 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTMFS6D1N08HT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥10.275111 +3000：￥9.590075 +7500：￥9.110538 +10500：￥8.768088	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），89A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 120µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2085 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）
NTMFS6D1N08HT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.667079 +10：￥20.210348 +100：￥15.755656 +500：￥13.015247	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN, 5 Leads 供应商器件封装： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
NTMFS6D1N08HT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥22.667079 +10：￥20.210348 +100：￥15.755656 +500：￥13.015247	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN, 5 Leads 供应商器件封装： 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

NTMFS6D1N08HT1G参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	17A（Ta），89A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5.5 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 120µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	32 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2085 pF 40 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3.8W（Ta），104W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳:	8-PowerTDFN，5 引线
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
NTMFS6D1N08HT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN 下载数据手册未分类	+35：￥7.649438	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），89A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 120µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2085 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）
NTMFS6D1N08HT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN 下载数据手册未分类	+10：￥16.632977 +100：￥13.060747 +500：￥10.703952 +1000：￥8.568145 +1500：￥7.880713	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
NTMFS6D1N08HT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.908852 +30：￥3.841432 +100：￥3.74041	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），89A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 120µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2085 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）
NTMFS6D1N08HT1G ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥4.043692 +50：￥3.942562 +200：￥3.908852 +1000：￥3.875142 +3000：￥3.77412	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Ta），89A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 120µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2085 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3.8W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 5-DFN（5x6）（8-SOFL）封装/外壳： 8-PowerTDFN，5 引线温度： -55°C # 175°C（TJ）